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芯片減薄劃切過(guò)程中的UV膜與藍(lán)膜特性簡(jiǎn)介

日期:2024-12-29 01:01
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摘要:芯片減薄劃切過(guò)程中的UV膜與藍(lán)膜特性簡(jiǎn)介

芯片減薄劃切過(guò)程中的UV膜與藍(lán)膜特性簡(jiǎn)介


需要增透減反技術(shù)可以聯(lián)系我們上海工廠18917106313

上海卷柔新技術(shù)光電有限公司是一家專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)光學(xué)儀器及其零配件的高科技企業(yè),公司2005年成立在上海閔行零號(hào)灣創(chuàng)業(yè)園區(qū),專業(yè)的光電鍍膜公司,技術(shù)背景依托中國(guó)科學(xué)院,卷柔產(chǎn)品主要涉及光學(xué)儀器及其零配件的研發(fā)和加工;光學(xué)透鏡、反射鏡、棱鏡,平板顯示,安防監(jiān)控等光學(xué)鍍膜產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn),為全球客戶提供上等的產(chǎn)品和服務(wù)。

Wafer在減薄之前,會(huì)在Wafer的正面貼一層粘性膜,該層膜的作用是在Wafer正面固定芯片,便于磨片機(jī)在Wafer的背面研磨硅片。一般研磨之前硅片的厚度在700 μm左右,研磨之后,Wafer的厚度變?yōu)?00 μm,甚至達(dá)到120 μm的程度,具體將視客戶要求和芯片的應(yīng)用環(huán)境情況而定,即Wafer減薄過(guò)程。Wafer在劃片之前,會(huì)將Wafer的背面粘一層膜,該層膜的作用是將芯片粘在膜上,可以保持晶粒在切割過(guò)程中的完整,減少切割過(guò)程中所產(chǎn)生的崩碎,確保晶粒在正常傳送過(guò)程中不會(huì)有位移和掉落的情況,即芯片后封測(cè)環(huán)節(jié)中的劃切過(guò)程,

如上所述,芯片減薄劃切過(guò)程中都用到了一種用于固定Wafer和固定芯片作用的膜。實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中,該種膜一般使用UV膜或藍(lán)膜。UV膜和藍(lán)膜在芯片減薄劃切過(guò)程中具有非常重要的作用,但兩者特性有明顯的區(qū)別。
2 UV膜和藍(lán)膜的特性
UV膜和藍(lán)膜均具有粘性,其粘性程度使用粘性剝離度來(lái)表示,通常單位使用N/20 mm或者N/25 mm,例如1 N/20 mm的意義是測(cè)試條寬度為20 mm,用180°的剝離角度從測(cè)試版上將其剝離的力是1 N。
UV膜是將特殊配方的涂料涂布于PET薄膜基材表面,達(dá)到阻隔紫外光及短波長(zhǎng)可見(jiàn)光的效果,圖1所示為通用的UV膜結(jié)構(gòu)圖。一般UV膜由3層構(gòu)成,其基層材質(zhì)為聚乙烯氯化物,粘性層在中間,與粘性層相鄰的為覆層(Release film),部分UV膜型號(hào)沒(méi)有該覆層。
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UV膜通常叫紫外線照射膠帶,價(jià)格相對(duì)較高,未使用時(shí)有效期較短,它分為高粘性、中粘性和低粘性三種,對(duì)于高粘性的UV膜而言,其未經(jīng)過(guò)紫外線照射時(shí)粘性很大,粘性剝離度大約在 5 000 m N/20 m m 到12 000 mN/20 mm左右,但是在紫外線燈光照射的時(shí)間延長(zhǎng)和照射強(qiáng)度增加之后,剝離粘性度會(huì)降到1 000 mN/20 mm以下;對(duì)于低粘性的UV膜而言,未經(jīng)過(guò)UV照射時(shí),其剝離粘性度在1 000 mN/20 mm左右,而經(jīng)過(guò)紫外線照射之后,其剝離粘性度會(huì)降到 100 mN/20 mm 左右;
中粘性的UV膜的粘性剝離度介于高粘性UV膜和低粘性UV膜之間。低粘性的UV膜在通過(guò)一定時(shí)間和一定強(qiáng)度的紫外線照射后,盡管其粘性剝離度會(huì)降到100 mN/20 mm 左右,但在Wafer的表面不會(huì)有殘膠現(xiàn)象,晶粒容易取下;
同時(shí),UV膜具有適當(dāng)?shù)臄U(kuò)張性,在減薄劃片的過(guò)程中,水不會(huì)滲入晶粒和膠帶之間。藍(lán)膜通常叫電子級(jí)膠帶,價(jià)格較低,它是一種藍(lán)色的粘性度不變的膜,相對(duì)于未經(jīng)過(guò)紫外線照射的高粘性UV膜,其粘性剝離度一般較低,對(duì)紫外線并不敏感,在(1 000 ~3 000)mN/20 mm間不等,而且受溫度影響會(huì)發(fā)生殘膠;*早命名是由于該膠帶為藍(lán)色,現(xiàn)在隨著技術(shù)的發(fā)展,也陸續(xù)出現(xiàn)了其他的顏色,而且用途也得到拓寬。UV膜和藍(lán)膜相比,UV膜較藍(lán)膜穩(wěn)定。
UV膜無(wú)論在紫外線照射之前還是照射之后,UV膜的粘性度都比較穩(wěn)定,但成本較高;藍(lán)膜成本相對(duì)比較便宜,但是粘性度會(huì)隨著溫度的變化而發(fā)生變化,而且容易殘膠。
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3、 UV膜和藍(lán)膜在生產(chǎn)中的應(yīng)用分析
通常來(lái)說(shuō),對(duì)于小芯片減薄劃片時(shí)使用UV膜,對(duì)于大芯片減薄劃片時(shí)使用藍(lán)膜,因?yàn)椋琔V膜的粘性可以使用紫外線的照射時(shí)間和強(qiáng)度來(lái)控制,防止芯片在抓取的過(guò)程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切之后,直接上倒封裝標(biāo)簽生產(chǎn)線,那么*好使用UV膜,因?yàn)榈狗庋b標(biāo)簽生產(chǎn)線所使用的芯片一般均較小,而且設(shè)備頂針在藍(lán)膜底部將芯片頂起。
如果使用較大粘性剝離度的藍(lán)膜,可能使得頂針在頂起芯片過(guò)程中將芯片頂碎。RFID芯片面積一般均小于750 μm×750 μm,藍(lán)膜加框后的Wafer通常直接進(jìn)行倒封裝為Inlay或者標(biāo)簽,因此RFID芯片在后封測(cè)時(shí)通常使用UV膜。
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藍(lán)膜由于其受溫度影響粘性度會(huì)發(fā)生變化,而且本身粘性度較大,因此,一般面積較大的芯片或者Wafer剪薄劃切之后直接進(jìn)行后封裝工藝,而非直接進(jìn)行倒封裝工藝做Inlay時(shí),可以考慮使用藍(lán)膜 [7] 。
現(xiàn)階段,針對(duì)芯片尺寸小于1 mm的芯片,通常使用型號(hào)為D?184的低粘性UV膜。該UV膜僅僅有基層和粘性層,沒(méi)有覆層,其基層為PVC材料,厚度為80 μm,粘性層為丙烯酸樹(shù)脂漆(Acrylic),其厚度為10 μm,未經(jīng)過(guò)紫外線照射之前的粘性剝離度為1 100 mN/25 mm,經(jīng)過(guò)UV照射之后,粘性剝離度為70 mN/25 mm,因此其粘性范圍可以在(70~1 100)mN/25 mm內(nèi)調(diào)整。該型號(hào)的UV膜具有一些特點(diǎn):其一,該型號(hào)的UV膜,在硅片表面使用剝離角度為180°進(jìn)行剝離時(shí),其速度可以達(dá)到300 mN/25 mm;其二,該UV膜規(guī)定了自己的照射條件,紫外線照射密度為230m W /cm2 ,紫外線照射功率為190 mJ/cm 2 ;
其三,輻射的紫外線波長(zhǎng)應(yīng)在365 nm左右。該UV膜實(shí)際使用時(shí)可能出現(xiàn)了一些問(wèn)題,即在倒封裝生產(chǎn)線上出現(xiàn)了芯片漏抓的情況,主要是由于紫外線設(shè)備的功率沒(méi)有達(dá)到指定的要求,因此,在照射過(guò)程中,需要延長(zhǎng)照射時(shí)間,來(lái)補(bǔ)充照射強(qiáng)度不夠的問(wèn)題。如果遇到UV燈功率(能量)不足時(shí),建議:其一,擦凈UV燈管和燈罩,改善UV光的反射效果;
其二,UV燈老化應(yīng)更換,瑞森特UV燈使用壽命1 500 h就應(yīng)該更換;其三,提高UV燈管單位長(zhǎng)度內(nèi)的功率,保證達(dá)到 80~120 W/cm;其四,紫外線燈管使用一段時(shí)間后,燈管應(yīng)旋轉(zhuǎn) 1 4 再用。采用D?184型UV膜實(shí)踐加工了多片Wafer,當(dāng)照射時(shí)間控制在40~45 s時(shí),后端倒封裝工藝進(jìn)行非常順利,若小于規(guī)定的時(shí)間,則會(huì)出現(xiàn)漏摘甚至崩碎的芯片,因此根據(jù)UV膜的特性,調(diào)整合適的粘性度,能夠提高芯片產(chǎn)業(yè)化效率。
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4 結(jié)語(yǔ)
UV膜與藍(lán)膜相比,它的粘性剝離度可變性使得其優(yōu)越性很大,主要作用為:用于 Wafer 減薄過(guò)程中對(duì)Wafer進(jìn)行固定;Wafer劃切過(guò)程中,用于保護(hù)芯片,防止其脫落或崩片;用于Wafer的翻轉(zhuǎn)和運(yùn)輸,防止已經(jīng)劃切之后的芯片發(fā)生脫落。規(guī)范使用UV膜和藍(lán)膜的各個(gè)參數(shù),根據(jù)芯片所需要加工的工藝,選擇合適的UV膜或者藍(lán)膜,既可以節(jié)省成本,亦可以加快推進(jìn)芯片產(chǎn)業(yè)化。


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上海卷柔新技術(shù)光電有限公司是一家專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)光學(xué)儀器及其零配件的高科技企業(yè),公司2005年成立在上海閔行零號(hào)灣創(chuàng)業(yè)園區(qū),專業(yè)的光電鍍膜公司,技術(shù)背景依托中國(guó)科學(xué)院,卷柔產(chǎn)品主要涉及光學(xué)儀器及其零配件的研發(fā)和加工;光學(xué)透鏡、反射鏡、棱鏡,平板顯示,安防監(jiān)控等光學(xué)鍍膜產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn),為全球客戶提供上等的產(chǎn)品和服務(wù)。

    采用德國(guó)薄膜制備工藝,形成了一套具有嚴(yán)格工藝標(biāo)準(zhǔn)的閉環(huán)式流程技術(shù)制備體系,能夠制備各種超高性能光學(xué)薄膜,包括紅外薄膜、增透膜,ARcoating,激光薄膜、特種薄膜、紫外薄膜、x射線薄膜,應(yīng)用領(lǐng)域涉及激光切割、激光焊接、激光美容、醫(yī)用激光器、光學(xué)科研,紅外制導(dǎo)、面部識(shí)別、VR/AR應(yīng)用,博物館,低反射櫥窗玻璃,畫框,工業(yè)燈具照明,廣告機(jī),點(diǎn)餐機(jī),電子白板,安防監(jiān)控等。
    卷柔新技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全自動(dòng)生產(chǎn)線【sol-gel溶膠凝膠法鍍膜線】,這條生產(chǎn)線能夠生產(chǎn)全球先進(jìn)的減反射玻璃。鍍膜版面可達(dá)到2440*3660mm,玻璃厚度從0.3mm到12mm都可以,另外針對(duì)PC,PMMA方面的增透膜也具有量產(chǎn)生產(chǎn)能力。ARcoating減反膜基本接近無(wú)色,色彩還原性好,并且可以避免了磁控濺射的缺點(diǎn),鍍完增透膜后玻璃可以做熱彎處理和鋼化處理以及DIP打印處理。這個(gè)難度和具有很好的應(yīng)用性,新意突出,實(shí)用性突出,濕法鍍膜在價(jià)格方面也均優(yōu)于真空磁控的干法。


  卷柔減反射(AR)玻璃的特點(diǎn):高透,膜層無(wú)色,膜硬度高,抗老化性強(qiáng)(耐候性強(qiáng)于玻璃),玻璃長(zhǎng)期使用存放不發(fā)霉,且有一定的自潔效果.AR增透減反膜玻璃產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于**文博展示、低反射幕墻、廣告機(jī)玻璃、節(jié)能燈具蓋板玻璃、液晶顯示器保護(hù)玻璃等多行業(yè)。
    我們的愿景:卷柔讓光學(xué)更具價(jià)值!
    我們的使命:有光的地方就有卷柔新技術(shù)!
    我們的目標(biāo):以高質(zhì)量的產(chǎn)品,優(yōu)惠的價(jià)格,貼心的服務(wù),為客戶提供優(yōu)良的解決方案。
    上海卷柔科技以現(xiàn)代鍍膜技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力,通過(guò)鍍膜設(shè)備、鍍膜加工、光學(xué)鍍膜產(chǎn)品服務(wù)于客戶,努力為客戶創(chuàng)造新的利潤(rùn)空間和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),為中國(guó)的民族制造業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。