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文章詳情

服務(wù)能力可靠性試驗部分測試項目介紹

日期:2025-01-12 04:08
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摘要:服務(wù)能力可靠性試驗部分測試項目介紹

可靠性試驗的目的

    可靠性試驗的目標(biāo)是通過模擬和加速半導(dǎo)體元器件在整個壽命周期 中遭遇的各種情況(器件應(yīng)用壽命長短) 可靠性試驗?zāi)康模菏乖囍齐A段的產(chǎn)品達到預(yù)定的可靠性指標(biāo)。對產(chǎn)品的制作過程起監(jiān)控作用。根據(jù)試驗制定出合理的工藝篩選條件。通過試驗可以對產(chǎn)品進行可靠性鑒定或驗收。通過試驗可以研究器件的失效機理。


 可靠性試驗的分類

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溫度循環(huán)試驗(TCT)

目的:利用高低溫對膨脹和收縮的機械密封應(yīng)力 作用下的非密封封裝固態(tài)器件的耐久性

檢測能力:溫度范圍:-75℃~250℃ 

覆蓋產(chǎn)品:模塊、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR, 等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

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 高溫儲存試驗(HTSL)

目的:評估產(chǎn)品長時間暴露在高溫下的耐久性

檢測能力:溫度*高300℃ 

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR,等分立半導(dǎo)體器件 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

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高溫柵偏試驗(HTGB)

目的:評估器件此測試加速介質(zhì)擊穿并檢查柵氧 化層質(zhì)量。

檢測能力:溫度*高200℃,電壓*高2000V

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、等半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):JEDEC,AEC或客戶自定義等

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高溫反偏試驗(HTRB)

目的:評估器件在*大額定反向直流電壓和結(jié)溫 下的持久能力

檢測能力:溫度*高200℃,電壓*高2000V

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR,等分立半導(dǎo)體器件 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):JEDEC,AEC或客戶自定義等

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熱疲勞試驗(TFAT)

目的:評估抵抗由間歇施加負載引起的結(jié)溫波動 的能力。

檢測能力:0~80.0V/0~60A

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR, Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

Power module

檢測能力:0-500A

覆蓋產(chǎn)品:Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導(dǎo)體器件

高溫高濕反偏壓試驗(H3TRB)

目的:評估器件在高溫下*大額定直流電壓和濕 度的綜合影響下器件的能力。

檢測能力:溫度-45~150℃;濕度:0-99%RH,電壓*高300V

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR, Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

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高壓鍋試驗(PCT)

目的:主要適用于產(chǎn)品抗?jié)裥栽u估及堅固性測試, 評估元器件在高溫和高壓條件下抵抗潮濕相關(guān)失 效的能力

檢測能力:溫度121℃ 濕度100%

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、DIODE、Transistor、SCR,等分立半導(dǎo) 體器件

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

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加速抗?jié)裥栽囼?UHAST)

目的:這個測試方法主要適用于抗?jié)裥栽u估和堅固性測試,并可能被用作無偏置高壓鍋試驗的替代品

檢測能力:溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85% 覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、DIODE、Transistor、SCR,等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

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 高加速溫度濕度應(yīng)力試驗(HAST)

目的:評估元器件在通電,高溫,高濕和高壓條件下抵抗潮濕相關(guān)失效的能力

檢測能力:溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85%

With bias

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、DIODE、Transistor、SIC等分立半導(dǎo)體器件

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

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預(yù)處理(Pre-con)

目的:模似器件在包裝,運輸 ,貼片過程中影響 產(chǎn)品的性能評估

檢測能力:室溫~400℃;加熱溫區(qū):上10/下10 

覆蓋產(chǎn)品:所有SMD類型器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):JEDEC,AEC或客戶自定義等

濕氣敏感度等級評估(MSL)

 實驗?zāi)康模涸u估產(chǎn)品對濕氣的敏感度

評估那些由濕氣所誘發(fā)應(yīng)力敏感的非密封固態(tài)表面貼裝元器件的分類,以便對其進行正確的封裝,  儲存和處理, 以防回流焊和維修時損傷元器件。

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低溫儲存試驗(LTSL)

目的:低溫儲存試驗具有代表性的被用來判斷溫 度和時間對儲存環(huán)境下固態(tài)電子元器件的影響 (熱激活失效機制)

檢測能力:溫度低-75 ℃  

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR,等分立半導(dǎo)體器件 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):GB,JEDEC,AEC或客戶自定義等

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 ESD

檢測能力:HBM*大電壓:8000V;MM*大電壓:800V

覆蓋產(chǎn)品:MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):MIL,AEC等


  • 上海卷柔新技術(shù)光電有限公司是一家專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)光學(xué)儀器及其零配件的高科技企業(yè),公司2005年成立在上海閔行零號灣創(chuàng)業(yè)園區(qū),專業(yè)的光電鍍膜公司,技術(shù)背景依托中國科學(xué)院,卷柔產(chǎn)品主要涉及光學(xué)儀器及其零配件的研發(fā)和加工;光學(xué)透鏡、反射鏡、棱鏡,平板顯示,安防監(jiān)控等光學(xué)鍍膜產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn),為全球客戶提供上等的產(chǎn)品和服務(wù)。

        采用德國薄膜制備工藝,形成了一套具有嚴(yán)格工藝標(biāo)準(zhǔn)的閉環(huán)式流程技術(shù)制備體系,能夠制備各種超高性能光學(xué)薄膜,包括紅外薄膜、增透膜,ARcoating,激光薄膜、特種薄膜、紫外薄膜、x射線薄膜,應(yīng)用領(lǐng)域涉及激光切割、激光焊接、激光美容、醫(yī)用激光器、光學(xué)科研,紅外制導(dǎo)、面部識別、VR/AR應(yīng)用,博物館,低反射櫥窗玻璃,畫框,工業(yè)燈具照明,廣告機,點餐機,電子白板,安防監(jiān)控等。
        卷柔新技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的全自動生產(chǎn)線【sol-gel溶膠凝膠法鍍膜線】,這條生產(chǎn)線能夠生產(chǎn)全球先進的減反射玻璃。鍍膜版面可達到2440*3660mm,玻璃厚度從0.3mm到12mm都可以,另外針對PC,PMMA方面的增透膜也具有量產(chǎn)生產(chǎn)能力。ARcoating減反膜基本接近無色,色彩還原性好,并且可以避免了磁控濺射的缺點,鍍完增透膜后玻璃可以做熱彎處理和鋼化處理以及DIP打印處理。這個**難度和具有很好的應(yīng)用性,新意突出,實用性突出,濕法鍍膜在價格方面也均優(yōu)于真空磁控的干法。
        卷柔減反射(AR)玻璃的特點:高透,膜層無色,膜硬度高,抗老化性強(耐候性強于玻璃),玻璃長期使用存放不發(fā)霉,且有一定的自潔效果.AR增透減反膜玻璃產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于**文博展示、低反射幕墻、廣告機玻璃、節(jié)能燈具蓋板玻璃、液晶顯示器保護玻璃等多行業(yè)。
        我們的愿景:卷柔讓光學(xué)更具價值!
        我們的使命:有光的地方就有卷柔新技術(shù)!
        我們的目標(biāo):以高質(zhì)量的產(chǎn)品,優(yōu)惠的價格,貼心的服務(wù),為客戶提供優(yōu)良的解決方案。
        上海卷柔科技以現(xiàn)代鍍膜技術(shù)為核心驅(qū)動力,通過鍍膜設(shè)備、鍍膜加工、光學(xué)鍍膜產(chǎn)品服務(wù)于客戶,努力為客戶創(chuàng)造新的利潤空間和競爭優(yōu)勢,為中國的民族制造業(yè)的發(fā)展貢獻力量。