一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法技術(shù)

本發(fā)明磚利技術(shù)公開(kāi)了一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其步驟包括清洗襯底；制備硫化鋅緩沖薄膜；制備(222)擇優(yōu)取向的ITO薄膜。本發(fā)明磚利技術(shù)采用磁控濺射技術(shù)，在潔凈的玻璃基底上先沉積一層ZnS薄膜，通過(guò)控制玻璃基底溫度得到具有(111)擇優(yōu)取向的ZnS；然后再通過(guò)控制制備工藝沉積ITO，即可得到具有(222)擇優(yōu)取向的ITO薄膜。本發(fā)明磚利技術(shù)的擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，通過(guò)增加ZnS緩沖層，獲得具有(222)擇優(yōu)取向的ITO薄膜，提高ITO的光電性能。

Method for preparing ITO transparent conductive film with preferential growth

The invention discloses a method for preparing a ITO transparent conductive film with preferential growth. The method comprises the steps of cleaning the substrate, preparing the zinc sulfide buffer film, and preparing (222) the ITO film with preferred orientation. The invention adopts magnetron sputtering on the clean glass, depositing a layer of ZnS film by controlling the temperature of a glass substrate (111) preferred orientation of ZnS; and then by controlling the preparation process of the deposition of ITO, can be obtained with (222) preferred orientation of ITO thin films. The invention provides a method for preparing a preferred growth ITO transparent conductive film, which is characterized in that a ITO film with (222) preferred orientation is obtained by increasing the ZnS buffer layer, and the photoelectric performance of the ITO is improved.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本磚利技術(shù)涉及一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。
技術(shù)介紹
太陽(yáng)能電池是一種基于半導(dǎo)體pn結(jié)吸收太陽(yáng)光轉(zhuǎn)變成電能的光伏器件，其太陽(yáng)光吸收層材料主要包括晶體硅和化合物薄膜如碲化鎘、銅銦鎵硒、氧化亞銅等。在晶硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)中，透明導(dǎo)電氧化物薄膜都起到重要作用，一是作為電極收集光生載流子，二是作為透光層使得太陽(yáng)光透過(guò)該層到達(dá)吸收層；除了上述作用外，透明導(dǎo)電氧化物薄膜還可以用作紅外反射材料；透明導(dǎo)電氧化物薄膜還在發(fā)光二極管上有廣泛應(yīng)用。常見(jiàn)的透明導(dǎo)電氧化物薄膜包括ITO、AZO和FTO，其中ITO的光電性能*好，在可將光區(qū)的光學(xué)透過(guò)率達(dá)到90％。直流磁控濺射技術(shù)作為一種高速沉積的薄膜制備方法，制備出來(lái)的薄膜樣品致密度高、沉積速度快，薄膜性能穩(wěn)定，工藝參數(shù)可控性高，適合于工業(yè)化生產(chǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本磚利技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：采用磁控濺射技術(shù)制備的ITO透明導(dǎo)電薄膜為單相多晶結(jié)構(gòu)，主要包括(211)(222)(400)(440)(622)等晶粒結(jié)構(gòu)，本磚利技術(shù)通過(guò)增加一層ZnS緩沖層材料，可制備出具有(222)擇優(yōu)取向的ITO透明導(dǎo)電薄膜，從而提高ITO透明導(dǎo)電薄膜的光電性能。本磚利技術(shù)的技術(shù)方案如下：一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括如下步驟：步驟1：清洗襯底；步驟2：制備硫化鋅緩沖薄膜；步驟3：制備(222)擇優(yōu)取向的ITO薄膜。...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括如下步驟：步驟1：清洗襯底；步驟2：制備硫化鋅緩沖薄膜；步驟3：制備(222)擇優(yōu)取向的ITO薄膜。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括如下步驟：
步驟1：清洗襯底；
步驟2：制備硫化鋅緩沖薄膜；
步驟3：制備(222)擇優(yōu)取向的ITO薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征
在于：所述步驟1包括如下步驟：
步驟1-1：切割石英玻璃；
步驟1-2：將切割好的石英玻璃在玻璃清洗劑中浸泡；
步驟1-3：經(jīng)玻璃清洗劑浸泡后的石英玻璃使用純水超聲清洗；
步驟1-4：將純水超聲清洗后的石英玻璃用高純氮?dú)獯蹈桑缓蠓湃胝婵涨?br style="box-sizing:border-box;"> 內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種擇優(yōu)生長(zhǎng)ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征
在于：所述步驟2包括如下步驟：
步驟2-1：腔體抽真空，使得背景真空達(dá)到1×10-4Pa；
步驟2-2：在1×10-4Pa的真空下，石英玻璃襯底加熱，溫度為室溫～300℃；
步驟2-3：通入高純氬氣，對(duì)ZnS靶進(jìn)行磁控濺射，以去除靶材表面的氧化
物；
步驟2-4：控制氬氣流量范圍5～20sccm，使得腔體真空度維持在0.3～10Pa；
步驟2-5：在氬氣氣氛下，使用預(yù)濺射處理的硫化鋅靶在石英玻璃襯底上進(jìn)
行射頻磁控濺射，沉積硫化鋅薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利...

【磚利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：杜文漢，楊景景，劉珂琴，張燕，趙宇，熊超，

上海卷柔新技術(shù)光電有限公司是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)生產(chǎn)光學(xué)儀器及其零配件?的高科技企業(yè)，公司成立２００５年，專(zhuān)業(yè)的光電鍍膜公司，公司產(chǎn)品主要涉及光學(xué)儀器及其零配件的研發(fā)和加工；光學(xué)透鏡、反射鏡、棱鏡等光學(xué)鍍膜產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)，為全球客戶提供上等的產(chǎn)品和服務(wù)。

采用德國(guó)薄膜制備工藝，形成了一套具有嚴(yán)格工藝標(biāo)準(zhǔn)的閉環(huán)式流程技術(shù)制備體系，能夠制備各種超高性能光學(xué)薄膜，包括紅外薄膜、增透膜，ARcoating, 激光薄膜、特種薄膜、紫外薄膜、x射線薄膜，應(yīng)用領(lǐng)域涉及激光切割、激光焊接、激光美容、醫(yī)用激光器、紅外制導(dǎo)、面部識(shí)別、VR/AR應(yīng)用,博物館，低反射櫥窗玻璃，畫(huà)框等。