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增透膜化學(xué)氣相沉積法

日期:2024-12-25 21:13
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摘要:
增透膜化學(xué)氣相沉積法
  化學(xué)氣相沉積法(CVD)(增透膜)是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣體供給襯底,利用加熱、等離子體及紫外光等能源,在襯底上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)沉積薄膜,可以制備 SiN、ZnS、SiO2、SiC 等太陽能電池減反射膜。
  CVD 法有很多優(yōu)點(diǎn):薄膜形成方向性小,微觀均勻性好;薄膜純度高,殘余應(yīng)力小,延展性強(qiáng);薄膜受到的輻射損傷較小。
  CVD 的主要缺點(diǎn)是需要在高溫下反應(yīng),襯底溫度高,沉積速率較低,一般每小時(shí)只有幾微米到幾百微米,使用的設(shè)備復(fù)雜,基體難以進(jìn)行局部沉積以及反應(yīng)源和反應(yīng)后的余氣都有一定的毒性等。CVD常常以反應(yīng)類型或 者壓力來分類,常用的有以下幾種:低 壓 CVD(LPCVD)[20]、常壓 CVD(APCVD)、亞常壓 CVD(SACVD)、(增透膜)超高真空CVD(UHCVD)、等離子體增強(qiáng) CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱 CVD(RTCVD)。
  等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)是工業(yè)沉積多種材料應(yīng)用*廣泛的方法。  

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